代表者プロフィール
- 1981年 横浜国立大学工学部卒業
- 1981年~1984年 ヤマハ発動機入社/高張力鋼管の生産技術開発、破壊解析技術開発
- 1985年~1992年 諏訪精工舎(現セイコーエプソン)入社/デバイス開発(プロセス開発)
- 1993年~2019年 洗浄技術をベースにした製造歩留まり改善、合理化
- 2000年~2004年 乾式プロセスを湿式に変えることによる合理化、省エネルギープロセス開発
- 2002年~2004年 高効率半導体工場の開発・検証
- 2004年~2007年 インクジェットによる液晶配向膜の安定量産化
- 2007年~2008年 めっき部品の歩留まり改善
- 2009年~2012年 超硬質防汚反射防止膜の開発と量産化
- 2012年~2019年 低コストサファイア基板の開発と量産化
- 2019年3月 セイコーエプソン退社
- 2019年4月 技術コンサルタント・エステックC合同会社設立
発表
1. マイクロメカトロニクス vol.62, No.219(2018年12月), page13-22
表題: サファイア風防の両面無反射コーティング技術
内容: 当社では腕時計のサファイア風防の両面(表裏)に無反射コーティングを施すことで、反射による文字板や針の視認性、色調やコントラストを損なうことを防いでいる。しかし本コーティングの実現にあたっては、特に風防の表側のコーティングに耐傷性や防汚性の課題があった。本論文では、この課題解決に向け、取り組んだ内容について紹介する。
2. 日経エレクトロニクス(930), 125-134, 2006-07-17
表題: インクジェットを電子部品の量産工程に適用
内容: セイコーエプソンは,電子部品の量産工程にインクジェット技術を初めて適用した。具体的には,プロジェクター向け液晶パネルの配向膜の形成に利用した。従来の製造方法で配向膜を形成した場合に比べて,パネルの表示画質が大きく向上したほか,環境負荷の低減にもつながった。インクジェット技術は今,次世代の製造技術としてその工業応用の動きに注目が集まっている
3. the 22nd (1990 International) Conference on Solid State Devices and Materials, Sendai, 1990, pp. 1047-1050
表題: The Improved Device Characteristics of MIM-LCD
内容: We have tried to improve characteristics of MIM device to establish the high contrast of liquid crystal display. It hasbeen pointed out that the ON/OF1' ratio of MIM device can create the wide range by using nitrogen(Nz )-dopedtantalum(Ta) which is used as a substitution for pure tantalum film. This Na-doped Ta is formed in the sputteringprocess by indueing the nitrogen gas into the sputtering chamber. However, it is difficult to make ictual MIM deviceson all over the large-sized substrate uniformly by ordinary Nz-doping method. Accordingly, we established improveddevice properties by employing ihe mixed gas of nitrogen and argon which kept the discharge condition stiUte in thesputtering chamber. In addition, the condition does not cause the lack of the contrast uniformity, which is realized byoptimizing the gas flow ratio and the gas pressure.
4. SID'90 Dig., 518-521
表題: An MIM-LCD with improved TV performance